石墨烯由于其特殊的力学、电学和热学性能，引起了极大的关注，其成为了一种有前途的多功能电子材料。在这项研究中，我们研究了合成温度对石墨烯晶体质量和电磁干扰屏蔽性能的影响。我们在不同温度下(从900℃到1050℃)在铜箔上合成石墨烯，随后使用拉曼光谱分析样品。结果表明，石墨烯的结晶质量随着合成温度的升高而提高。然后，我们制作了100层石墨烯/聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)复合材料(GPC)，并评估了其电学、机械性能和电磁干扰屏蔽效果(SE)。我们的研究结果表明，与含有缺陷的石墨烯复合材料相比，含有高结晶石墨烯复合材料具有更高的导电性和拉伸强度。此外，具有高结晶石墨烯复合材料具有更高的EMI SE，总SE为14.16 dB，比具有缺陷石墨烯结构高140%。

　　图1. 石墨烯生长温度与结晶质量关系的表征。(a)在铜箔上生长石墨烯的CVD系统示意图。(b)取决于石墨烯生长温度的合成模式图，石墨烯生长温度控制在900℃至1050℃的25℃区间内。(c)在900℃至1050℃温度范围内生长的石墨烯的拉曼光谱。(d)在不同生长温度(900℃、950℃、1000℃、1050℃)下合成的300 nm SiO2/Si上转移单层石墨烯的D与G波段(ID/IG)和2D与G波段(I2D / IG)的拉曼光谱。比例尺:10微米。

　　图4. 测量电磁波的反射、吸收和屏蔽效果。(a)矢量网络分析仪的照片。(b)电磁干扰屏蔽测量原理图。(c) GPC电磁干扰屏蔽机制示意图;入射电磁波从复合材料表面反射，并被复合材料内部的吸收和多次反射所屏蔽。