从上式可知，近场下的磁场的辐射强度与频率无关，交流或者直流没有区别，且磁场强度随着距离的三次方衰减，因此增加距离可以有效减小磁场强度。

　　实际电路设备中，只要有电流环路，或者两个导体之间有交变电压驱动，就存在上述的寄生天线。根据上述的天线模型原理，我们就能知道各个因素对于辐射强度的影响，这为我们的电磁屏蔽措施提供了理论指导。

　　电磁波在穿过屏蔽材料时产生的损耗有两部分，反射损耗和吸收损耗，屏蔽效能就是两者之和，当然实际上由于电磁波会有泄漏，屏蔽效能需要进行修正。

　　SE为屏蔽效能，R为反射损耗，A为吸收损耗，B为修正因子。当屏蔽材料厚度达到一个趋肤深度时，多次反射泄露的修正可以忽略不计；对于电场波，也可以忽略修正因子。

　　根据上述公式可知，在屏蔽材料确定后，反射损耗与电磁波的波阻抗有关。电磁波的波阻抗越高，反射损耗越大。而电磁波在近场和远场下的波阻抗又不同。

　　在近场下，电磁波的波阻抗与辐射源种类特性有关。磁场辐射源的阻抗较低，因此具有较低的波阻抗，其反射损耗也较小；电场辐射源的阻抗较高，因此具有较高的波阻抗，其反射损耗也较大。

　　在远场下，电磁波的波阻抗与辐射源特性没有关系，仅与电磁波的传播介质有关，比如空气中电磁波传播的波阻抗为377Ω，因此其反射损耗为

　　（1）近场屏蔽时，需要考虑电磁波的种类，电场波的波阻抗较大，反射损耗较大；磁场波的波阻抗较小，反射损耗较小。

　　/EMI解决方案&

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